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SK海力士冲击238层闪存:国产只差区区6层

本文由用户 无辜的表白 发表于 2022年7月29日 52RD      参与:4人 查看 我来说两句
      日前,美光全球第一个宣布了232层堆叠的NAND闪存,全球首家突破200层,已经投入量产。


    新闪存走的还是TLC,首次引入6个平面,存储密度创新高14.6Gb/mm2,2.4GB/sIO速度提升50%,读取带宽提升785%,写入带宽提升10%,封装面积减小28%,还首发支持NVLPDDR4内存。


    不过只过了两天,韩国闪存巨头SK海力士就宣布,计划今年内试产238层的NAND闪存,并在明年上半年量产,比美光多了6层。


    SK海力士没有透露238层闪存的技术细节,只是说各家的技术路线图、产品发布节奏不同,SK海力士的首要目标是实现行业最高的盈利水平。


    另外,SK海力士计划今年将176层闪存的出货比例提高到70%,并进一步提升毛利率。


    国际巨头你追我赶,国产闪存也没停下。


    长江存储目前的最新量产闪存是128层,之前有消息称已经试产192层,但也有说法称又跳过了192层而直接切入232层。


    但何时量产尚无明确时间表,有说法称今年底就可以,还有的说快则2023年底慢则2024年。


    果真如此的话,国产闪存与国际最先进水平的差距,也就一年多点。


来源:快科技

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1楼 52RD网友 117.34.*.* 发表于 2022/8/1 11:12 回复
国产应该是可以突破的
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