华为 EUV 光刻新专利公开，解决相干光无法匀光问题

11 月 19 日消息，在半导体行业，极紫外光刻技术 (Extreme Ultraviolet，EUV) 对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。

为了追求更先进的芯片和更优的能效，我们一直走在制程微缩的道路上，但光刻设备的分辨率决定了 IC 的最小线宽，越发精细的芯片就越需要缩短晶体管内部导电沟道的长度。因此，光刻机的升级就势必与分辨率水平相关联。

光刻机演进过程是随着光源改进和工艺创新而不断发展的。EUV 作为 7nm 及更先进制程芯片的基础，采用了更加成熟化的极紫外光源，同时还采用了立体化的全数控光刻技术，这让光刻工艺走上了一个新的高度，于是光刻行业进入了以 EUV 光刻机为主的极紫外光时代。

随着先进制程的进一步推进，全球半导体制造龙头台积电、三星、英特尔纷纷扩大 EUV 光刻机资本开支，积极扩充 7nm 以下先进产能。

与此同时，各大芯片设计公司，例如大家熟知的高通、英伟达、博通、联发科、AMD、苹果、海思等，都在加码先进芯片领域的资本支出。大家不妨认为，掌握 EUV 技术，就是掌握未来半导体先进制程的发展方向和制高点。

在这种前提下，各大芯片设计公司其实也会进行系统地研究，也会有不同程度地涉猎光刻领域。但实际上，各大公司也会在这一过程中遇到各种各样的问题，但也同样会因此积累到一些经验和专利。

IT之家了解到，华为周二公布了一项新专利，展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》，而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。

来源：IT之家