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​台积电反超Intel的关键人物,复旦高材生入籍台湾

本文由用户 却输给了时间 发表于 2020年10月29日 半导体行业观察      参与:2人 我来说两句
  日前,中国台湾“内政部 ”公布归化高级专业人才审查会审查结果,美国籍的曹敏通过审查,归化成为台湾人,这受到各界瞩目。
  
  据报道,曹敏毕业于上海复旦大学电子工程学系,之后赴美留学,取得美国斯坦福大学物理系博士学位。
  
  台湾方面的报道指出 ,美国籍的曹敏专长是半导体研发设计,曾带领台湾积体电路制造股份有限公司团队,开发20纳米及10纳米制程技术。最值得一提的是,他带领台积电1400人团队,进行跨部门合作,历经3年的坚持努力,突破高介电材料/金属闸技术,并创新采用双重曝光技术,成功开发20纳米制程技术。
  
  20纳米能顺利投产的另一个关键技术是双重曝光(double patterning)技术,这也是台积电首次采用这项技术。曹敏团队开发出智能图案拆解技术及创新的多层蚀刻保护膜,能克服光罩对准问题的限制,使双曝双蚀刻制程达到可控制量产的要求。曹敏强调,「在双重曝光领域,台积电有大量创新,业界只有我们能成功运用,遥遥领先竞争对手。」
  
  这项成果让台积电的晶圆密度能够超越全球芯片巨擘英特尔(Intel),技术大幅领先国际,增强台积电的竞争力,确保在晶圆代工领域的领先地位,并于2013年获得经济部产业创新奖的年度创新突破奖肯定。
  
  据台积电官网介绍,曹敏博士于2018年2月起担任台积公司技术发展Pathfinding副总经理。在此之前,曹敏博士自2016年起担任Pathfinding处资深处长。曹敏博士于2002年加入台积公司,成功协助开发多项先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程技术,包括90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米以及10纳米。
  
  自2006年至2008年,曹敏博士带领了40纳米泛用型制程技术的开发,此项技术也是台积公司首款利用超密度微缩的纳米制程。2009年,首次利用高介电常数金属闸极(HKMG)技术,成功带领了28纳米高效能制程的开发。曹敏博士其后亦带领研发团队开发20纳米及10纳米制程技术。
  
  在加入台积公司之前,曹敏博士自1994年至1999年任职于惠普实验室(Hewlett-Packard Laboratories),1999年至2000年任职于PDF解决方案公司(PDF Solutions),2000年至2002年任职于百利通半导体公司(Pericom Semiconductor)。
  
  曹敏博士在集成电路技术领域共拥有36项专利。曹博士曾在许多委员会担任重要职务,包括国际电子元件会议(IEDM)和国际VLSI技术和电路专题研讨会。曹敏博士毕业于上海复旦大学电子工程学系,于旧金山州立大学物理学系取得硕士学位,并于美国斯坦福大学物理学系取得博士学位。
  
  现在,曹敏担任研究发展/技术发展/Pathfinding副总经理。接下来,台积电在3纳米后,技术蓝图要如何发展,是否要用新方法提高价值,就要靠他研究。52RD.com  微博关注:http://weibo.com/52rd  微信关注:admin_52RD
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