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三星冲市占,64 层 NAND 快闪存储器宣布量产

52RD.com 2017年6月16日 科技新报            参与:2人 我来说两句
  

  三星电子 15 日宣布,最新 64 层 256GB V-NAND 快闪存储器已进入量产,与此同时,三星还将扩展包含服务器、PC 与移动设备的储存解决方案。

  64 层 V-NAND 快闪存储器用称为第四代 V-NAND 芯片,韩国 ITtimes.com 报导指出,三星为稳固领先优势,打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。

  其实,三星今年 1 月已先为某关键客户,打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD),自此之后,三星持续朝移动与消费型储存市场开发新应用,务求与 IT 产业同步化。

  三星 64 层 V-NAND 快闪存储器传输速度达每秒 1Gb,市面上同类型存储器产品中无人能出其右。若与 48 层产品相比,64 层快闪存储器的省电效能约高出三成,可靠性则增加约两城。

  三星目前是 NAND 龙头,2016 年市占率为 36%,在第四代 NAND 芯片量产后,三星可能陆续调降第二、三代芯片价格,除可进一步扩大市占外,还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。

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