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高通联发科海思手机芯片10nm大战开打

52RD.com 2016年11月22日 我爱研发网            参与:1人 我来说两句
  

  转自台湾工商时报的消息,手机芯片10纳米大战正式开打!手机芯片龙头高通(Qualcomm)抢在美国消费性电子展(CES)前发表10纳米Snapdragon 835手机芯片,采用三星10纳米制程生产。联发科交由台积电10纳米代工的Helio X30也已进入量产阶段,明年上半年将再推出Helio X35抢市,至于华为旗下海思半导体Kirin 970也将在明年采用台积电10纳米量产。

  业界人士指出,明年第一季将是高通、联发科、海思等三大手机芯片厂的10纳米芯片大战开打,虽然规格上仍是高通领先同业,不过能否真正放量出货并抢下手机厂订单,关键反而在于台积电及三星等晶圆代工厂能否符合预期开出产能。

  高通宣布子公司高通技术公司发表新一代Snapdragon 835手机芯片,虽然大部份细节规格都还没正式公布,但说明将支援最新的Quick Charge 4快充技术,进行5分钟充电后,将手机使用时间延长至5小时以上,且Quick Charge 4支援 Type-C连接埠和通用汇流排电力传输(USB-PD),可广泛的适用于各种连接线和转接器之上。

  联发科早在10月初就说明了新一代10纳米Helio X30手机芯片部份细节。联发科Helio X30手机芯片是10核心架构,确认将采用2+4+4的三丛集运算架构,包括运算时脉高达2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配运算时脉达2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及运算时脉达2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。与上一代十核心Helio X20手机芯片相较,运算效能可提升43%,功耗上则可节省58%。

  联发科Helio X30已经在第四季将率先进入量产投片阶段,采用台积电10纳米制投片,策略上就是希望藉由台积电在晶圆代工市场的技术领先优势来打造Helio X30,以对抗采用三星10纳米生产的高通Snapdragon 835。同时,联发科新一代Helio X30手机芯片支援LTE Cat.10规格,并且是全球全模的手机芯片,预期明年第一季将可顺利出货,明年上半年还会再推出支援Cat.12的10纳米Helio X35抢市。

  华为旗下海思半导体已经加快10纳米微缩速度,业界预期,明年上半年将会推出首款采用台积电10纳米生产的Kirin 970手机芯片,虽然架构上可能仍是8核心,但在数据机上会率先支援Cat.12的全球全模规格。

 

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