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Intel想灭了三星/海力士?传力推嵌入式DRAM

52RD.com 2015年9月8日 我爱研发网            参与:4人 我来说两句
  

  转自台湾精实新闻的消息,英特尔(Intel) 半导体龙头地位摇摇欲坠,与三星电子差距日益缩小,英特尔似乎下决心要扳倒后进,据称打算力推嵌入式DRAM (eDRAM),减少对DRAM的依赖,让DRAM记忆体大厂三星和SK 海力士狂冒冷汗。

  韩媒BusinessKorea 1日报导,当前DRAM市场由三星和SK海力士称霸,据传英特尔想削弱对手,第六代Skylake CPU配备eDRAM,提高图形运算效能。eDRAM和DRAM不同之处在于,eDRAM内建在CPU die内,DRAM则和CPU各自独立。业界分析师称,英特尔先前的Haswell和Broadwell芯片已内建eDRAM,原本是实验性质,如今已成为核心策略。日本和美国的半导体杂志也说,中长期而言,英特尔或许会整合CPU和DRAM,发展eDRAM。

  报导称,英特尔作法仿效苹果,苹果A系列处理器效能极为稳定,数据和图形处理速度都快过Android机种。A系列芯片DRAM小于Android机,却因采用高效能SRAM和CPU有突出表现。和SRAM相比,eDRAM的优势在生产成本较低,容量较大。与此同时,英特尔的3D XPoint技术也可能重创DRAM,美国业者独霸个人电脑和伺服器 CPU,可能会借此推展新技术,如果3D XPoint用于伺服器、电脑、移动设备,未来可能成为业界主流,逼走DRAM。

  BusinessKorea 8月7日报导,英特尔、美光7月29日宣布开发出新世代记忆体技术“3D Xpoint”,储存的资料比DRAM高出十倍,读写速度与耐受度更是NAND型快闪记忆体的1千倍之多,如此革新的技术让三星电子、SK海力士大为紧张。3D XPoint类似次世代ReRAM或PRAM科技,能完全改变资料储存的方式,半导体专家相信,自从东芝在1987年首次展示NAND型快闪记忆体之后,3D XPoint会是这30年间一个相当重要的变革。

  外资也似乎不看好三星和SK海力士前景。韩联社报导,8月31日为止,外资连续第18天卖超韩股。外资卖盘集中在三星电子和SK海力士。8月5日到上周五为止,外资卖超了7,513亿韩元(6.35亿美元)的三星持股。SK海力士是外资第二抛售对象,卖超额达5,498亿韩元。

  韩联社日文版8月18日报导,根据TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange公布的报告指出,三星电子、SK海力士(SK Hynix )等韩厂早就在行动DRAM市场上握有绝对优势,不过非韩阵营溃败情势似乎尚未停歇,上季(2015年4-6月)韩厂市占率再度飙上新高、市占率首度冲破8成关卡。

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