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瞄准资料中心商机 三星3D NAND SSD出击

52RD.com 2013年8月20日 52RD研发网            评论:0条 我来说两句
  

  转自台湾新电子的消息,三星(Samsung)发表业界首颗基于3D NAND技术的固态硬盘(SSD)。三星电子于日前快闪记忆体高峰会议(Flash Memory Summit 2013)中推出采用3D V-NAND技术的固态硬盘,欲以1TB的超高容量与极高的可靠度巩固该公司于商业伺服器及资料中心市场的势力。

  三星电子半导体研发中心执行副总裁E.S. Jung表示,该公司在10纳米(nm)以下制程克服巨大技术障碍,完成3D V-NAND应用产品,提供全球客户更高密度及理想可靠度的产品。不仅如此,三星3D V-NAND技术能提升应用产品20%的效能表现,并减少40%的功率损耗。未来三星将持续提供伺服器、行动装置与个人电脑(PC)等市场更低功耗的解决方案。

  Jung强调,三星3D V-NAND的诞生将颠覆产业变革,犹如全球IT产业的数位大爆炸(Digital Big Bang)一般,将持续推升记忆体市场规模。他透露,三星V-NAND的垂直互联制程使用特殊蚀刻(Etching)技术,从最高的储存格层利用电子穿孔技术串联至最底层,最多能垂直堆叠二十四层储存格。在增加3D储存格层数后,三星能突破平面NAND技术框架,在NAND快闪记忆体上实现更高的储存格密度。

  据三星官方资料指出,目前三星V-NAND固态硬盘提供960GB及480GB两种版本容量。960GB版本固态硬盘利用64颗多层单元(MLC)3D V-NAND快闪记忆体,每颗可提供128Gb的储存空间,可较前一代产品提高20%的序列(Sequential)及随机(Random)写入速度,并配有6Gbit/s的串列式先进附加技术(SATA)介面控制器。不仅如此,V-NAND固态硬盘亦可支援三万五千次的抹写次数限制(Program Erase Cycle)。

  三星首波V-NAND固态硬盘已于8月初量产,锁定资料中心及企业储存等高阶应用市场。三星认为,资料中心市场客户投资设备不手软,对产品的效能及功耗表现要求较高,但之后该公司将会推出针对PC市场的解决方案,以更具备成本效益及更高储存密度的固态硬盘系列强化三星于记忆体市场的竞争力。

  市调机构IHS iSuppli研究报告指出,2013~2016年全球NAND快闪记忆体市场产值将由约236亿美元成长至308亿美元,年复合成长率达11%,系带动整体记忆体市场的重要元件。

(52RD.com)
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