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与IBM攻10纳米 联电强化竞争力

52RD.com 2013年8月8日 52RD研发网            评论:0条 我来说两句
  

  转自台湾今周刊的消息,联电执行长颜博文昨(7)日表示,联电跳过20纳米,与IBM合作14纳米FinFET(鳍式场效晶体管)制程,近期更加入IBM 10纳米FinFet CMOS联盟,将缩短和竞争对手在先进制程差距。

  联电昨天公布第2季约当8寸晶圆出货量为130.7万片,主力仍集中在40纳米和65纳米制程,其中,65纳米营收占比为约35%;40纳米约20%;28纳米仍占极少比重,年底占营收1~2%。

  不过,颜博文仍强调,联电仍会持续加速量产并强化技术改良,以充分满足客户产品规划上的需求,并藉差异化,强化竞争力。

  他说,联电已于近日宣布加入IBM 10纳米FinFET CMOS技术联盟。透过与IBM的结盟,将可以克服现阶段的研发障碍,并提供结合IBM基础技术的未来制程平台,根据客户需求开发衍生性的制程。

  据了解,联电也在新加坡设立特殊制程研发中心,并借由和舰的产能支持,抢占大陆快速崛起的IC代工商机;至于到海外设厂和并购,则还在评估中。联电今年资本支出将维持15亿美元。

(52RD.com)
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