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联电+矽智财大咖 冲28纳米

52RD.com 2013年5月29日 经济日报            评论:0条 我来说两句
  

    联电28日宣布与半导体逻辑非挥发性存储器(NVM)矽智财领导厂商Kilopass签署技术开发协议,双方针对28纳米先进制程技术合作,让联电加速生产可携式装置产品系统单芯片与消费性电子为主的的28纳米产品。

    联电28纳米预计年底产生小量营收,目前正在试产。联电客户工程暨矽智财研发设计支持副总简山杰表示,与Kilopass合作,可确保客户在28纳米制程可采用联电eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智财,也能获取最佳第三方厂商之非挥发性存储器矽智财。

    这项合约将使Kilopass的非挥发性存储器矽智财,可使用在联电两个28纳米先进制程平台上,分别为高介电质金属闸(High-k/Metal Gate)的28纳米高效能芯片(HPM),以及多晶矽(Poly /SiON)28低耗能(HLP)的28纳米芯片。

    联电表示,目前公司推出的28纳米制程芯片,闸极密度为40纳米制程的两倍,其中具成本效益的28HLP多晶矽制程,与业界其它28纳米多晶矽制程相比,具备更优异的效能。此外,这个制程也比同业提供多个电压选项,包括:1.8V,2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介电质金属闸制程,联电也提供临界电压选项、存储器储存单元和降频/超频功能。

(52RD.com)
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