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上海艾为发布集成肖特基二极管串联背光驱动AW9921DNR

52RD.com 2013年1月7日 我爱研发网            评论:0条 我来说两句
  

    近日,上海艾为电子发布了第二代串联背光驱动系列的最新产品AW9921DNR。AW9921DNR在秉承第二代串联背光驱动系列的超低EMI辐射、超强抗干扰优秀性能的基础上,创新的在芯片内部集成了肖特基二极管,并采用了散热性能极佳的DFN2x3-10L封装, AW9921DNR调光方式同样采用先进的PWM转恒流调光。

    AW9921DNR芯片内部集成了一颗纵向结构的肖特基二极管,完全可以替代串联背光驱动外接的肖特基二极管,这样AW9921DNR在整个背光模块的占板面积、整体成本上相比同类产品都更具优势,而且内置的纵向结构肖特基二极管在峰值DC电流、正向导通压降等性能上甚至还要优于外接的肖特基二极管,更低的正向导通压降也使得背光驱动模块的整体效率显著提升。

    传统的串联背光驱动多采SOT23的封装形式,而在大屏的背光应用时,这种封装带来的芯片及主板温度过高越来越成为一个麻烦问题。为了解决这个问题,AW9921DNR采用了散热性能极佳的DFN2x3-10L。图1比较了两种封装形式的散热性能,在同样驱动10颗LED在20mA的背光时,DFN2x3-10L和SOT23-5L封装的芯片表面温度分别上升了10.5℃和21.8℃到34.7℃和46.8℃,DFN2x3-10L封装的芯片表面温升仅为SOT23-5L的一半!而且由于SOT23-5L封装热阻比DFN2x3-10L大4倍左右,这样两个芯片内部结温差别更大,估算下来SOT23-5L封装芯片内部结温高达77℃!

    对于芯片结温的改善,上海艾为产品经理表示:AW9921DNR优异的散热性能不仅可以帮客户更好的解决应用时芯片和主板温度过高的问题,而且AW9921DNR更低的芯片结温也改善了产品的性能、增强了产品的可靠性,从我们的评估来看,同样的条件DFN2x3-10L的效率可以比SOT23-5L提高2~3%,进一步延长手机的使用时间!

图 1两种封装形式在驱动10LED(20mA)输出时芯片表面实测结温

    AW9921DNR的主要特性

    内置高性能肖特基二极管

    专有的EESTM 技术有效降低EMI 干扰

    PWM 转恒流调光

    专有的RNS (射频噪声抑制)技术

    独特的Q-MirrorTM 恒流驱动架构

    单串支持多达10 颗串联白光LED

    1MHz 固定工作频率

    内置软启动功能,限制启动时的浪涌电流

    内置过流保护、过温保护、过压保护

    关断电流:<1uA

    纤小且散热性能极佳的DFN2x3-10L 封装

图 1AW9921DNR典型应用图

 

 

 

(52RD.com)
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