Vishay推出15款新型Siliconix功率MOSFET，适用于手机等便携应用

新组件厚度为0.8mm，适合不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带萧特基二极管的及双路的组件。组件的电压介于8V至30V之间，在4.5V时导通电阻值低至0.011Ω。

Vishay表示，随着便携设备的体积越来越小，以及它们功能的不断增加，其可用电路板空间会极大减少。设计人员需要设计体积更小的解决方案，同时维持较低的功耗，从而尽可能延长电池在充电间隔期间的使用时间。

为了满足此需求，PowerPAK SC-70将SC-70封装的超小尺寸与较大TSOP-6所对应的导通电阻相结合。上述解决方案可在实现极低的功耗，而封装尺寸是TSOP-6的一半且厚度比TSOP-6薄27%。除有助于节能外，PowerPAK SC-70还是100%无铅、无卤素且符合RoHS规范的封装，可满足国际法规关于消除有害物质的要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET的典型应用将包括为手机、PDA、数码相机、MP3播放器、笔记本计算机、便携式HDD及微型电机驱动等便携设备负载开关及电池充电。

目前推出的组件包括SiA413DJ，它是业内首款采用此封装尺寸的12V单路p信道组件。SiA913DJ及SiA912DJ分别是首款12V双路p及n信道MOSFET，而SiA511DJ是首款12Vn信道及p信道互补对。

采用SC-70封装尺寸的多款组件在导通电阻方面刷新纪录。新型SiA421DJ在4.5V时额定电阻为0.056Ω，在30V单路p信道类别中的导通电阻最低。SiA914DJ的导通电阻为0.053Ω，是业内导通电阻最低的20V双路p信道MOSFET。新产品中的两款为单板、低压降(VF)萧特基二极管。

SiA810DJ的额定电阻为0.053Ω，是导通电阻最低的20V单路n信道带萧特基二极管的组件，而SiA811DJ的额定电阻为0.094Ω，是导通电阻最低的20V单路p信道带萧特基二极管的组件。

SiA413DJ和SIA411DJ MOSFET的额定导通电阻低至1.5V VGS，可实现较低功耗，降低了对电平相移电路的需要，从而节省了电路板空间。之前推出的采用PowerPAK SC-70封装的组件包括SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ，额定导通电阻低至1.2VVGS。另外，额定电阻为0.011Ω的SiA414DJ和额定电阻为0.023Ω的SiA417DJ是采用此封装类型的首款组件，其额定击穿电压为8V。