英飞凌成功展示其第二代超低成本GSM手机单芯片

　　这种GSM芯片采用成熟的130纳米互补式金属氧化物半导体 (CMOS) 技术所制造，而且是全世界首款不仅将基频处理器 (baseband processor) 以及在手机与基地台间传输语音的射频 (RF) 部份整合在一个单芯片上，同时也整合SRAM记忆与电力管理。而以前，仅电力管理芯片就需要7 x 7平方亳米的面积。

　　如今英飞凌的超低成本第一代 (ULC1) 平台与E-GOLDradio芯片为基础的超低成本行动电话已经进行量产几个月，而以E-GOLDvoice芯片为中心的第二代ULC2 平台行动电话也准备得如火如荼。工程样品 (engineering sample) 预计将在七月提供。