博 文
通过对sumsang和液晶产业历史的研究,发现凡是现在市面上比较牛的企业,无不是很早就在这个行业就开始耕耘的。像三星从1969就加入电子行业,1980年就进入半导体行业,1995年就已经确立了自己内存行业老大的地位。看来电子行业虽然是个新兴行业,却也还是很讲论资排辈的。sharp作为lcd行业的老大滴位也是从它第一个做出LCD,又第一个兴建第8代液晶生产线开始的研究AMD和INTEL从2000年开始这几年的竞争就能发现,从2003年amd第一个提出64位概念开始,amd和intel才进入真正的正面竞争,2005年两家公司又几乎同时提出双核概念,之后两家关于真假双核的争论更是几乎白热化。intel和motorola之间的竞争,intel和amd、cyrix之间的竞争,intel和zilog之间的竞争,都可以归结为标准之争。这几家的技术intel都比不上,可是最终的胜利者确都是intel。这充分说明了一流企业靠标准,二流企业靠技术这一真理。而标准就是广大客户都认可的东东,你技术再好,没人应用也只能算是二流的。
电子行业的历史第一阶段:19世纪,欧、美、日,电力时代,电信业兴起,代表企业有西门子、爱立信、philips、bell、nec;第二阶段:20世纪二战前,45年,美、欧、日,电子管时代,家电行业的兴起,代表企业有ibm、st、Toshiba、panasonic;第三阶段分为下面两个子阶段:1、1945-1968,23年,美、欧、日,晶体管时代,计算机行业起步阶段,代表企业有fairchild、Sony;2、1969-1978,9年,美、欧、日、韩,集成电路时代,计算机行业的兴起,代表企业有intel、 lg、Samsung第四阶段:1979-1998,19年,美、...
昨天依次测了以下几种情况:
1.用程控电源给主板供电,通过usb充电,USB电压为5.1。程控电源电压设为3.7V时,各点电压依次为S=4.6、D=4.1、Vbat=3.9、Gate=0.55,电流可以到A级。程控电源电压设为3.5V时,各点电压依次为S=4.6、D=3.9、Vbat=3.76、Gate=0.25,电流可以到A级。
2.把两块电池接在一起,一块为3.8,一块为3.4,测得电压为3.6,电流估计到A级。把他们连在一起后后给主板供电,正常开机。
3.把程控电源的两个输出设成不同的电压,然后接在一起。有两种情况,一种是一个设为4.0,一个设为3.0,接触点电压为3.5,电流达到一端的限定值1.57。一种是一个设为4.0,一个设为3.0,接触点电压为比4.0大一点点,电流只有10mA左右。
接论:当把两个电源的正负极直接相连时,连接处的电压大致为(Va+Vb)/2。
两个电源正负极直连时两个电源的状态如下:
1.高电压一方还是一个普通电源;2.低电压一方为一个有源负载。
工作状态取决于一下两条:
1.双方压差有多大,内阻有多大;2高电压一方的驱动能力有多大。
电子工程中碰到的各种问题,如果用数学知识来解释,会简单的不可思议。
同相反相——数学中的相反数概念
串行并行——加法和乘法的区别
同步异步——数学中的函数概念
线性非线性——矩阵和微积分、级数
所有的电子器件都不能严格的称为线性或非线性器件,在不同的回路中会表现为线性或非线性。在线性和非线性的回路中,电子器件会表现出完全不同的特性。
交流与线性相对应,直流与非线性相对应。
三极管,在性线条件下可以作为放大器;在非线性条件下可以作为开关。
电容,在线性条件下,是电路中的容抗器件;在非线性条件下,是电路中的储能器件。
在直流通路和交流通路中,电容表现出完全不同的特性。
在直流通路中,电容起着滤波的作用,它的作用可以从工程分析的角度来得出。
在交流通路中,电容起着阻抗匹配的作用,它的作用可以通过数学推导来得出。
要把电容的特性放在二维坐标系中思考,即它有X和Y两个方向的指标,随着F的改变,电容的阻抗会在坐标系中旋转。
三极管
三极管的电流放大系数主要取决于基区、集电区和发射区的杂质浓度以及器件的几何结构,当这些特征确定了,三极管的电气特性也就确定了,而与外接信号无关。三极管是一种革命性的基础器件,绝不只是两个二极管的简单叠加,肖克利是因为发现了它而获得诺贝尔奖。
三极管的几种特殊工作状态
1.集电极-发射极反向饱和电流ICEO,集电极-基极反向饱和电流ICEO。这两者之间仍然符合电流放大关系,这是三极管基本特性的最好说明。
2.只要Vbe>0.7,哪怕c极悬空,三极管也工作在饱和状态。
3.把b和c连在一起,三极管仍然工作在放大状态。
以上三种情形正是三极管与两个二极管完全不同的最好说明。
三极管饱和态的分析
三极管内部的电压和电流都是三角关系。Vbe、Vbc、Vce;Ib、Ic、Ie。重点是Vce和Vbc,这也是三极管和二极管的关键区别,只有理解了它,才能理解三极管的工作原理。
磁珠
在磁珠的参数中都会重点标注100MHz时的阻抗,这里有一个重要的原因就是FM是工作在100M附近的,从耳机天线上测得的FM信号辐度达120mV。
差分
不管以以不同的方式驱动回路,只要从回路的两端测量能测得相同的信号,那就可以认为这些驱动方式是等效的.从数学角度考虑这就是一个平移的概念,把一个函数沿着数轴平移,不会改变函数曲线.实例如下:
1.电池的正负极,既可以认为是3.7和0,也可以认为是1.85和-1.85;
2.正玄信号,既可以认为是sin和0,也可以认为是1/2sin和-1/2sin.
测量工具本身也是相对的。
三大部分:电源时钟、处理器小系统、外围接口。三者相互关联,密不可分。
嵌入式系统中的电路以直流回路为主。
回路的两个基本特点:
1、能量最低化,回路总是向电势最低的方向延伸;
2、消耗最快化,回路总是倾向于以最快的方式消耗能量;
回路中能量传播的两个基本特点;
1、以电磁波的形式传递;
2、具有指向低能量的方向性。
嵌入式系统单板上的电路以直流回路为主。这和电路的基本元器件的性质有关,嵌入式电路的基础是晶体管,而晶体管是有方向性器件,它只能工作在直流状态。因此晶体管电路都有偏置电压的概念,这样可以保证在它上面叠加了交流信号后它仍能正常工作。
电容的隔直。电容是通交隔直的,但在PCB上测量电容两端时却往往都会测到有电压存在,这两个电压都是晶体管的偏置电压。这时候电容的隔直作用主要表现为把两边的偏置电压隔开。
双端口、三端口或四端口网络,各个端口之间都是相互影响的。这是一个统计的概念,比如运算放大器,并不是只有Vin与Vout之间有关系, Vcc与Vout也有关系,Vin与Vout之间的关系用Av来表示,同样Vcc与Vout也要一个相应的量来表示它们之间的关系,这个量就是PSRR,再比如表征三极管特性的转移特性曲线,它表示的也是两个看似不相关性的量:Vce和Ic,却有着严格的对应关系。
这包括两个方面,即存储器控制器--存储器.
对于存储控制器而言,地址接口与数据接口是相对应的,有几种情况,一种是数据接口带宽是可变的,如8位\16位\32位,随着接口带宽的变化,地址线的接法也会随着变化,如从A0\A1\A2开始.一种是数据接口带宽是固定的,如8位\16位\32位,这种地址线的最低位是不会变化的,都是从A0开始.
对于存储器而言,地址线接口往往是不可变的,当然也有特殊情况,一般都是从A0开始,而且是不能跳过的.数据接口则往往是可配置的,可以是8位\16位\32位.