本文为转载。 国家标准规定了电阻的阻值按其精度分为两大系列，分别为E-24系列和E-96系列，E-24系列精度为5%，E-96系列为1%， 在这两种系列之外的电阻为非标电阻，较难采购。下面列出了常用的5％和1％精度电阻的标称值，供大家设计时参考。 精度为5％的碳膜电阻，以欧姆为单位的标称值： 1.0     5.6     33      160      820       3.9K      20K      100K      510K      2.7M 1.1     6.2     36      180      910       4.3K      22K      110K      560K      3M 1.2     6.8     39      200      1K        4.7K      24K      120K      620K      3.3M 1.3     7.5     43      ...

很基础的东西，根据百度知道整理。 什么是ttl电平 TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平。 TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。TTL电路的电源VDD供电只允许在+5V±10%范围内，扇出数为10个以下TTL门电路； COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Compiementary symmetry metal oxide semicoductor）集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5--+15V均能正常工作，电压波动允许±10，当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1，输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0，扇出数为10--20个COMS门电路。  TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信...

VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管） VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier) VSS:地或电源负极 VEE：负电压供电；场效应管的源极（S） VPP：编程/擦除电压。 详解： 在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压： VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd ! VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。 有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能 Vcc和Vee出现在双极型晶体管电路中，和集电极（collector）发射极（emitter）有关，所以 一正一负。 Vdd,Vss在MOS电路中出现，和漏级（Drain），源极（Source）有关，也是一正一负。 Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。

      原理图常用库文件：      Miscellaneous Devices.ddb       Dallas Microprocessor.ddb      Intel Databooks.ddb      Protel DOS Schematic Libraries.ddb      PCB元件常用库：      Advpcb.ddb      General IC.ddb      Miscellaneous.ddb       分立元件库       部分 分立元件库元件名称及中英对照      AND 与门      ANTENNA 天线      BATTERY 直流电源      BELL 铃,钟      BVC 同轴电缆接插件      BRIDEG 1 整流桥(二极管)      BRIDEG 2 整流桥(集成块)      BUFFER 缓冲器      BUZZER 蜂鸣器      CAP 电容      CAPACITOR 电容      CAPACITOR POL 有极性电容      CAPVAR 可调电容      CIRCUIT BREAKER 熔断丝      COAX 同轴电缆   &n...

转自百度知道 上下拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），   这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。 2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的搞电平值。 3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。 4、在CMOS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，   提供泄荷通路。 5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。 6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 上拉电阻：就是从电源高电平引出的电阻接到输出 1，如果电平用OC(集电极开路，TTL)或OD(漏极开路，COMS)输出，那么不用上拉电阻是不能工作的， 这个很容易理解，管子没有电源就不能输出高电平了。 2，如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量， 把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上， 让它的压降小一点）。当然管子按需要该工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路电平的匹配。 需要注意的是，上拉电阻太大会引起输出电平的延迟。（RC延时） 一般CMOS门电路输出不能给它悬空，都是接上拉电阻设定成高电平。 下拉电阻：和上...

转自http://www.cnblogs.com/hbt19860104/archive/2008/04/11/1147981.html 1、 将应用程序和应用程序快捷方式添加到映像里，再将快捷方式添加到StartUp目录下，这样当系统运行后应用程序就能自动运行；2、 直接替换Wince的SHELL，即修改注册表： [HKEY_LOCAL_MACHINE\init]"Launch50"="explorer.exe""Depend50"=hex:14,00, 1e,00 把这个explorer.exe改成你的应用程序（比如：MyApp.exe）；3、 把应用程序加入到映像，修改注册表： [HKEY_LOCAL_MACHINE\init]"Launch80"="MyApp.exe" "Depend80"=hex:1E,00 可以设置启动顺序和依赖程序； 以上方法都可行，但是都存在一个问题，就是应用程序是集成到NK里面的，也就是说每次升级应用程序都要重新编译下载内核，很麻烦，尤其在程序调试阶段，大家都希望把应用程序放在SD卡上，这样更新起来比较容易；据说通过第三种方法可以实现，即修改"Launch80"="MyApp.exe"为"Launch80"="\STDCard\MyApp.exe"( STDCard为SD卡目录)，但是我试了一下没有成功，因为Launch80运行时SD卡的文件驱动还没有加载，找不到MyApp.exe文件。同样，采用快捷方式加载SD卡里的应用程序也不可行。所以我采用了另一种方法，自己编了一个小程序，比如叫ShellExe.exe，将此程序加入到映像里，通过StartUp快捷方式调用ShellExe，ShellExe再去调用SD卡里的应用程序，具体实现步骤如下：1、 在eVC下编译如下代码： int WINAPI WinMain(HINSTANCE hInstance, HINSTANCE hPrevInstance, LPTSTR lpCmdLine, int nCmdShow) { WIN32_FIND_DATA fd; HAN...

转自http://www.cnblogs.com/hbt19860104/archive/2008/04/11/1147884.html 对原出处表示感谢。   如何让系统加载自己写的驱动程序？   两种办法：  1、在[HKEY_LOCAL_MACHINE\Drivers\BuiltIn]下添加注册键。  2、在应用程序中调用ActivateDeviceEx。     在一些文件中用分号来表示注释，例如下面的内容   ; @CESYSGEN IF SERVERS_MODULES_HTTPD  ; @CESYSGEN ENDIF  在“CESYSGEN...”前加了“@”，有没有什么特别的含义？  在WINCE的一些文件中，用“;”作为注释并在注释文字中用@CESYSGEN作为标记，后面接条件语句。Cefilter.exe工具负责按照条件来筛选文件内容，所以不要轻易地删除包含@CESYSGEN的注释语句。     通过串口建立ActiveSync联接,串口线用三线的可以吗?   不可以，因为用串口同步时要用到其余口的状态。          WINCE是否支持MAPI？  不支持。WINCE自带的pmail.exe软件也不是很好用。建议自开发邮件收发软件。如果需要购买WINCE下邮件收发软件可以联系我。     如何旋转屏幕显示的内容？  例子代码如下（前提是显示驱动程序支持旋转）：  DEVMODE  devmode = {0};   devmode.dmSize = sizeof(DEVMODE);   devmode.dmDisplayOrientation = DMDO_90;      &...

转自http://www.cedn.cn/?uid-13615-action-viewspace-itemid-1605   开发流程简述：   一、硬件设计/开发阶段：(略) 二、克隆一个最相近的BSP[可选]。开发时建议选择克隆，学习时建议参考已有的BSP重新构建。 三、Boot Loader开发： Boot Loader主要功能是，对CPU和选定的外设做足够的初始化，使得硬件能够与开发环境建立通讯、下载运行时映像；当然也可以根据硬件的要求扩展Boot Loader的功能，以在系统加载时完成一些特殊的功能。当Boot Loader开发完成后，可以将它下载到硬件的启动存贮器中，方便后续的开发和调试。 四、OAL开发： OAL主要是由启动Windows CE内核所需要的内核引导程序组成，开发OAL则是指逐步地实现startup程序及为启动内核作准备的代码，其中部分代码与Boot Loader阶段相似，可以共享这部分代码，当然大部分OEM厂商也是这样做的。当完成了OAL的开发与调试并下载到板上，这时就有了一个可以运行的最小的Windows CE内核。 五、板级设备的驱动程序开发： 在这个阶段，需要为硬件板所选择的外设及CPU片内处设逐个地实现并反复调试驱动程序，部分驱动程序可以引用微软或第三方开发的、或以此为起点定制。 六、实现电源管理： 电源管理是一个很重要的阶段，对整机的性能表现起着很主要的作用。 七、为BSP导出SDK，并生成.msi安装包： 这一步是BSP开发最后一步，为的是其他开发者可以基于此定制OS。 八、定制OS阶段： 这一步骤有时称为OS剪裁，为前述的硬件平台定制出合适的操作系统，调试WinCE OS中各组的功能，并反馈到BSP开发阶...

TTL一直在说，今天查看一下TTL的标准定义。 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。 TTL输出高电平>2.4V，输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。 TTL电路是电流控制器件，TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

转自《WINCE.NET内核定制及应用开发》 PB的ParameterView1、公用参数公用参数对所有的工程（无论采用何款CPU），是WINCE的基本参数文件。主要包括COMMOM.REG,COMMON.BIB,COMMON.DAT,COMMON.DB。对这些文件的修改会影响所建立的所有工程，所以除非确认所做修改在之前或之后建立的工程中均起作用，否则不要对这4个文件进行任何形式的修改。 2、硬件特性参数硬件特性参数是保存所采用的CPU系列的硬件设置内容，对所有采用相同CPU系列的工程均起作用，是基于某款CPU系列的公用参数。包括CONFIG.BIB,PLATFORM.BIB,PLATFORM.REG,PLATFORM.DAT,PLATFORM.DB。对这5个文件的修改会影响所有以此款CPU系列BSP为基础建立的工程。 3、工程参数工程参数是当前工程用到的基本参数，对它的修改只对当前工程有作用，对其他任何工程没有作用，包括CESYSGEN.BAT,PROJECT.REG,PROJECT.DAT,PROJECT.BIB,PROJECT.DB。